一、結構和工作原理

NorFlash：采用并行結構，每個存儲單元都有一個獨立的地址線，支持隨機訪問，適用于執行代碼和數據存儲。NandFlash：采用串行結構，數據以頁的形式進行讀寫，不支持隨機訪問，適用于大規模存儲和數據傳輸。

二、讀寫速度

NorFlash：讀取速度較快，可以快速執行代碼和加載數據，適用于實時性要求較高的應用。NandFlash：讀取速度相對較慢，由于采用頁讀取，數據的讀取速度較NorFlash略慢，適用于對實時性要求不高的大容量數據存儲。

三、使用壽命

NorFlash：使用壽命較長，可以支持大量的擦寫操作，適用于頻繁更新的應用。NandFlash：使用壽命相對較短，擦寫次數有限，適用于相對靜態的存儲場景。

四、擦寫操作

NorFlash：支持單字節擦寫，擦除速度較快，但需要整塊擦寫，可能引起數據更新的復雜性。NandFlash：擦寫以頁為單位，需要先擦除整個頁，再寫入數據，擦除速度較慢，但擦寫粒度較細，有利于數據更新。

五、存儲密度

NorFlash：存儲密度較低，適用于較小容量的應用。NandFlash：存儲密度較高，適用于大容量存儲需求，如固態硬盤（SSD）。

六、成本

NorFlash：成本相對較高，適用于性能和壽命要求較高的應用場景。NandFlash：成本相對較低，適用于成本敏感的大容量存儲需求。

延伸閱讀

NorFlash與NandFlash簡介

NorFlash和NandFlash是兩種不同類型的閃存存儲器。

NorFlash是一種非易失性存儲器，具有隨機訪問的能力。它適用于需要高速讀取和執行代碼的應用，如嵌入式系統的引導程序。NorFlash還具有較長的擦寫壽命和較低的讀取延遲，但相對而言容量較小且成本較高。NandFlash是一種高密度的非易失性存儲器，適用于大容量數據存儲。它采用頁式寫入和塊擦除技術，具有較高的數據存儲和擦寫速度。NandFlash通常用于移動設備、固態硬盤（SSD）和內置存儲等場景，可以提供更大的存儲容量和更低的成本。